米乐m6【盘中宝】半导体巨头押注这类材料下游在数据中心领域开始渗透这家公司相关产品已进行迭代并实现销售

发布时间：2023-03-24 丨 浏览次数：

　　财联社资讯获悉，据行业媒体报道，欧洲芯米乐m6片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。

　　国家“十四五”研发计划已明确将大力支持第三代半导体产业的发展，GaN是第三代半导体材料的典型代表。

　　日前，英飞凌官宣收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元现金（57亿人民币）。GaN Systems是开发基于GaN的功率转换解决方案的全球技术领导者。除了收购GaN Systems，英飞凌还斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。

　　业内人士指出米乐m6，目前氮化镓功率器件技术在快充领域最为成熟，而在数据中心、工业领域也已经逐步开始使用，技术相对比较成熟。根据天风证券的测算，若全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为氮化镓功率芯片器件，将减少30%-40%的能源浪费。而氮化镓目前已经在5G基站中使用，并且不少企业正在布局数据中心的氮化镓电源产品。

　　Yole预测，GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美元增长到2026年24亿美元， 复合年均增长率为18%。 GaN功率器件市场规模将从2020年的0.46亿美元增长至2026年11亿美元，复合年均增长率为70%。

　　国联证券分析指出，英飞凌收购GaN Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景，另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。

　　赛微电子GaN业务团队在材料和器件上均实现了技术突破，在GaN外延片方面，公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟；在GaN器件米乐m6设计方面，公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。

　　新洁能650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN产品开发中。

　　华灿光电GaN电力电子器件产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心米乐m6、通信及汽车应用等领域。

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